制备低温共烧陶瓷平整基板的方法
- 申请号：CN201010591304.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102573299A
- 公开(公开)日：2012.07.11
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 制备低温共烧陶瓷平整基板的方法 | ||
| 申请号 | CN201010591304.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102573299A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱旻;张海英;杜泽保;尹军舰 |
| 主分类号 | H05K3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H05K3/00(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I |
| 专利有效期 | 制备低温共烧陶瓷平整基板的方法 至制备低温共烧陶瓷平整基板的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备低温共烧陶瓷LTCC平整基板的方法。本发明通过事先将地平面对应区域从LTCC带层中切割出来进行打孔、叠层预烧，再将其置入对应的LTCC带层凹槽中，用第二填充物固定，由于第二填充物在烧结过程中能起到固定以及缓冲的作用，从而避免通孔凸台的形成，获得了具有平整地平面的LTCC基板，进而提升了LTCC基板的性能。 | ||
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