专利详情

专利名称	在磷化铟衬底上制备T型栅的方法
申请号	CN201010578372.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102569047A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	黄杰;郭天义;张海英;杨浩
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I
专利有效期	在磷化铟衬底上制备T型栅的方法至在磷化铟衬底上制备T型栅的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	公开了一种在磷化铟衬底上制备T型栅的方法包括A、清洗外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷HMDS蒸发在清洗后外延片上；B、在外延片上匀第一层电子束胶ZEP520A，前烘；C、在所述第一层电子束胶ZEP520A上匀第二层电子束胶PMGI，前烘；D、在所述第二层电子束胶PMGI上匀第三层电子束胶PMMA，前烘；E、将上述匀有三层束胶层的外延片进行电子束曝光；F、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影；G、对上述显影后的外延片腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。根据本发明提供的在磷化铟衬底上制备T型栅的方法可制作更小尺寸的栅线条，且存在容易去胶，工艺简单，可靠性强等优点。