专利详情

专利名称	铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法
申请号	CN201210014789.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102560665A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	夏长泰;赛青林;司继良;李晓清;杨卫桥;狄聚青;许鹏;王璐璐
主分类号	C30B29/28(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/28(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C09K11/80(2006.01)I
专利有效期	铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法至铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种铈掺杂的氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法。采用的垂直温梯法，主要利用加热体的各处发热功率分布不同，制造一个合理的垂直温度梯度环境，经过预处理的原料放入坩埚内升温熔化，熔体静止在该温场中，通过控制速度的分段降温过程，使熔体从底部结晶，固液界面自下而上移动生长晶体。本发明方法相对于一般的坩埚下降等定向凝固的方法，由于无机械可动部分，解决了界面不稳可能带来的问题，同时封闭生长系统又保证了掺杂相对的均匀性。该方法生长的这种共晶材料质量稳定，具有良好的光转化性能、光混合性和耐热性，在大功率白光LED等多种发光器件上具有良好应用潜力。