专利详情

专利名称	一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及腐蚀方法
申请号	CN200910304802.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101619457	公开（授权）日	2010.01.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李永亮;徐秋霞
主分类号	C23F1/30(2006.01)I	IPC主分类号	C23F1/30(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及腐蚀方法至一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及腐蚀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及使用该腐蚀剂的腐蚀方法，属于集成电路制造技术领域。所述腐蚀剂按其重量百分比计包括0.19％～4.83％的氢氟酸。所述使用该腐蚀剂的腐蚀方法包括将HfSiON高K栅介质材料形成于Si衬底、Si/SiO₂界面层或者Si/SiON 界面层上后，将其浸泡在所述的腐蚀剂中进行湿法腐蚀。采用本发明腐蚀剂对HfSiON高K栅介质材料进行腐蚀时，可降低氢氟酸水解，从而提高HfSiON高K栅介质材料的腐蚀速度并降低对场氧区SiO₂的腐蚀速度，进而提高HfSiON对场氧区SiO₂的选择比。