专利详情

专利名称	锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法
申请号	CN201110004002.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102590936A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	武爱民;魏星;薛忠营;杨志峰;甘甫烷;张苗;王曦
主分类号	G02B6/122(2006.01)I	IPC主分类号	G02B6/122(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I
专利有效期	锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法至锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种锗悬浮膜式二维光子晶体微腔，包括：具有埋氧层、且表层为锗悬浮膜层的半导体基底，其中，所述锗悬浮膜层包含光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体构成、但部分区域缺失孔体。此外，本发明还提供了该锗悬浮膜式二维光子晶体微腔的制备方法，即先在半导体基底的锗薄膜层中掺杂以形成n型重掺杂层，随后，对重掺杂层进行微机械加工以便在部分区域形成光子晶体微腔，最后，对整片器件进行湿法腐蚀，其中，可通过控制腐蚀时间以控制侧向腐蚀的程度，从而去除光子晶体微腔下的埋氧层实现悬浮膜。本发明的优点在于：能够通过调节悬浮的锗薄膜的应变从而实现锗向直接带隙的转变，并通过光子晶体微腔的增强作用实现发光效率的提高。