专利详情

专利名称	一种实现红外焦平面阵列探测器中硅读出电路测试的方法
申请号	CN201210014614.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102590731A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	黄秋平;罗乐;徐高卫
主分类号	G01R31/28(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/28(2006.01)I
专利有效期	一种实现红外焦平面阵列探测器中硅读出电路测试的方法至一种实现红外焦平面阵列探测器中硅读出电路测试的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种实现红外焦平面阵列探测器中硅读出电路测试的方法，其特征在于采取倒装方式实现硅读出电路与测试基板间的互连；实现硅测试基板与硅读出电路的对接互连后，通过对测试基板上焊盘的重排实现硅测试基板焊盘的重排；采取较复杂的版图设计来避免复杂的工艺过程以减少需排布的焊盘数量；采取lift-off工艺实现测试基板上的焊盘制作，并通过铟电镀的方式在需重新排布的焊盘上制作一层薄的铟镀层；通过打线(wire?bonding)工艺实现硅基板与PCB板间的互连，最后读出电路的控制、信号输入和输出均在PCB板上完成。本发明将版图设计和简单工艺结合即可实现硅读出电路的测试。