专利详情

专利名称	GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法
申请号	CN200810115564.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101615708	公开（授权）日	2009.12.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	黎明;张海英;付晓君;徐静波
主分类号	H01P1/15(2006.01)I	IPC主分类号	H01P1/15(2006.01)I;H01P1/10(2006.01)I;H01P11/00(2006.01)I
专利有效期	GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法至GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法。该单片集成微波开关由基于全耗尽型的GaAs PHEMT单刀双掷开关和基于DCFL的反相器构成，该单刀双掷开关和反相器单片集成，单刀双掷开关的控制信号端与反相器的输入端和输出端连接，且该单片集成微波开关采用0V和-3V分别作为高低电平，反相器的VDD直流端接0V，原接地端接-3V。本发明成功的将全耗尽型微波开关与反相器集成于同一芯片内，实现了逻辑电路与开关电路的集成，整个电路只需要1位控制信号，有效的减少了开关电路的控制端口数目，节省了芯片面积，为将来采用 E/D HEMT技术实现更大规模、更复杂电路集成奠定了良好基础。