专利详情

专利名称	采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法
申请号	CN200910055733.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101615590	公开（授权）日	2009.12.30
申请（专利权）人	上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I
专利有效期	采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法至采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法，包括如下步骤：提供掺杂的单晶硅衬底；在单晶硅衬底表面生长非掺杂的本征单晶硅层；在本征单晶硅层表面生长器件层；提供支撑衬底；生长绝缘层；将单晶硅衬底和支撑衬底键合；采用选择性腐蚀工艺除去掺杂的单晶硅衬底；去除本征单晶硅层。本发明的优点在于，采用了本征单晶硅层作为腐蚀的自停止层，并在后续工艺中通过热氧化等方法将其除去，因此本发明所提供的技术方案可以用于制备具有任意电阻率顶层硅的绝缘体上硅衬底。