一种少层石墨烯的制备方法
- 申请号:CN201210049772.5
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 公开(公开)号:CN102583351A
- 公开(公开)日:2012.07.18
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种少层石墨烯的制备方法 | ||
申请号 | CN201210049772.5 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102583351A | 公开(授权)日 | 2012.07.18 |
申请(专利权)人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明(设计)人 | 周明;秦禄昌;崔平;唐捷 |
主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
专利有效期 | 一种少层石墨烯的制备方法 至一种少层石墨烯的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种少层石墨烯的制备方法,该方法结合液相插层技术与合微波辐照技术,首先将石墨放入含四烷基取代季胺阳离子与OH-的溶液中进行超声处理,使四烷基取代季胺阳离子插入到石墨层间形成插层,引起石墨层间距增大;然后将处理后的石墨进行微波辐照,使石墨插层发生分解,产生大量气体,进一步增大石墨层间距;接着将处理后的石墨分散在低极性有机溶剂中进行超声处理,使石墨发生剥离产生石墨烯;最后进行离心处理,处理后取出上层液体即为少层石墨烯分散液。本发明操作简单、耗时少、成本低、石墨烯产率高、重复性好、易于实现工业化大规模生产,制备得到的少层石墨烯层数在10层以下,具有缺陷少、含氧基团少、电导率高的优点。 |
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