专利详情

专利名称	基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器及其应用
申请号	CN200910089511.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101614668	公开（授权）日	2009.12.30
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	师文生;王晓天;佘广为
主分类号	G01N21/65(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/65(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I
专利有效期	基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器及其应用至基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器及其应用。该硅纳米线传感器是联用一种表面具有增强拉曼散射效应且稳定性高的活性基底和拉曼光谱仪一同构筑成的。所述的活性基底，是由分布在单晶硅基片表面垂直定向站立排列的硅纳米线阵列，及在垂直定向站立排列的硅纳米线阵列顶端的形貌呈网状的银纳米粒子薄膜构成。所述的活性基底中进一步不含有SiO₂和Ag₂O，使得作为拉曼检测基底的活性基底的拉曼图谱非常干净，从而极大地减小了活性基底本身的杂峰对有机物目标分子检测的干扰。联用本发明的活性基底和拉曼光谱仪一同构筑的硅纳米线传感器可以对未知浓度的有机物目标分子溶液作定量检测。