专利详情

专利名称	一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法
申请号	CN201010619223.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102136487A	公开（授权）日	2011.07.27
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李效民;张锋;于伟东;高相东;何邕;甘小燕;吴亮
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法至一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于氧化锌材料的新型电阻式RAM(随机存储器)存储单元及制备方法。所述的存储单元包括开关元件和存储元件，特征在于开关元件以透明导电薄膜为底电极，以ZnO薄膜为中间层，以Pt、Au、Ir等功函数较高金属(M)为顶电极，形成FTO(ITO)/ZnO/M的结构。存储元件的中间层采用与开关元件相同的ZnO薄膜，以M为底电极和顶电极，形成M/ZnO/M的结构。两个中间层ZnO采用相同的氧等离子体辅助激光脉冲沉积制备工艺，制备出电学性能良好的ZnO薄膜。最大优点是获得了性能稳定的开关元件，并且开关元件和存储元件采用相同的制备工艺和薄膜材料，大大简化了工艺流程，获得了可实现稳定可逆电阻转变的并可避免误读操作的存储单元。