专利详情

专利名称	一种制备SiC纳米线阵列的方法
申请号	CN200910089510.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101613881	公开（授权）日	2009.12.30
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	师文生;刘海龙;佘广为;凌世婷
主分类号	C30B29/36(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/36(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I
专利有效期	一种制备SiC纳米线阵列的方法至一种制备SiC纳米线阵列的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域。特别涉及一种制备SiC 纳米线阵列的方法。本发明的SiC纳米线阵列制备方法包括以下过程：用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面制备硅纳米线阵列，将表面有硅纳米线阵列的硅基片放置在盛有石墨粉的石墨坩埚中，再将石墨坩埚放入管式炉中加热，在加热过程中，通入惰性气体作为保护气，最终得到SiC纳米线阵列。本发明的制备SiC纳米线阵列方法简单易行，所制备的SiC纳米线阵列在场发射及高温、高频、大功率的半导体器件方面具有巨大的潜在应用价值。