专利详情

专利名称	一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si₃N₄)基材料及其制备方法
申请号	CN200910054967.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101613856	公开（授权）日	2009.12.30
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	祝迎春;刘真
主分类号	C23C16/30(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/30(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C09K11/80(2006.01)I
专利有效期	一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si₃N₄)基材料及其制备方法至一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si₃N₄)基材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si₃N₄)基材料和进一步掺杂稀土元素铕的铝掺杂 α相氮化硅(α-Si₃N₄)基材料，及其制备方法。本发明的铝掺杂α相氮化硅(α-Si₃N₄)基材料光学带宽约为2.64eV，相比于纯净氮化硅其光学带宽大大降低，使得它在半导体光电器件方面的应用成为可能；掺杂稀土元素Eu的铝掺杂α相氮化硅(α-Si₃N₄)基材料呈现出以 582nm为中心、半高宽为100nm的黄-橙色发射光谱，具有优良的发光性能，使得它在半导体固态照明的应用方面的应用成为可能。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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