专利详情

专利名称	一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法
申请号	CN201010300344.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102130096A	公开（授权）日	2011.07.20
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王强;陈岚;阮文彪;李志刚;杨飞;周隽雄;叶甜春
主分类号	H01L23/544(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I
专利有效期	一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法至一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种对集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法。在集成电路制造过程中，为改善平坦化效果往往会在版图中进行冗余金属填充，而冗余金属对耦合电容存在着很大影响。在兼顾到这一点的情况下，本发明提供了一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和应用该测试结构的测试方法。所述测试结构包括由介质、待测铜线阵列、外围引线、测试引脚组成的测试金属层，通过在耦合电容实测结构中加入了为改善CMP效果而设计的金属冗余填充物，同时通过选取合适的测试结构尺寸和设计特殊的引脚引线结构，不但能有效完成含有金属冗余填充物的多层测试结构耦合电容的测量，而且可以就不同类型金属冗余填充结构对耦合电容的影响进行比较，同时该版图结构也可以简化多层互连线的测量。