专利详情

专利名称	高可靠SOI LDMOS功率器件
申请号	CN201210103676.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102623506A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	姜一波;杜寰
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	高可靠SOI LDMOS功率器件至高可靠SOI LDMOS功率器件	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	公开了一种高可靠SOI?LDMOS功率器件，包括：在SOI?LDMOS功率器件的顶层硅中，注入有高浓度的埋层和接触注入区，且埋层与接触注入区连接；通过所述埋层可充分抽取SOI?LDMOS功率器件中SOI?LDMOS栅附近的载流子，并经所述接触注入区引出，控制SOI?LDMOS栅附近的电位。本发明提供的高可靠SOI?LDMOS功率器件，在SOI?LDMOS的顶层硅中，制成高浓度的埋层并通过接触注入区引出，利用此埋层充分抽取SOI?LDMOS器件SOI?LDMOS栅附近的载流子，控制SOI?LDMOS栅附近电位，避免由噪声电流或者碰撞电流引起的寄生晶体管开启而导致的LDMOS器件损伤或烧毁，同时抬升了LDMOS器件在静电冲击下的维持电压，扩展了LDMOS功率器件的电学安全工作区域，增强了器件可靠性。