专利详情

专利名称	一种等效高斯光束远场辐射分布参数的求解方法
申请号	CN201210026114.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102622511A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	周磊;任戈;谭毅;田俊林
主分类号	G06F19/00(2011.01)I	IPC主分类号	G06F19/00(2011.01)I
专利有效期	一种等效高斯光束远场辐射分布参数的求解方法至一种等效高斯光束远场辐射分布参数的求解方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种等效高斯光束远场辐射分布参数的求解方法，步骤为：已知实际系统中目标平面内高斯光束远场辐射分布参数Ω，光束半高宽，目标尺寸形状和反射率；根据实际光束瞄准系统建立仿真模型；在仿真模型中，控制光束扫描目标，并记录扫描坐标和回波信号；根据扫描坐标和回波信号的对应关系，结合最小二乘估计准则，求出该目标尺寸下等效高斯光束远场辐射分布参数改变目标尺寸a，解出对应的利用多项式曲线拟合技术求出相对a的函数关系。本发明提出了等效高斯光束远场辐射分布参数的概念，给出了特定的光束半高宽下，和a的函数关系；解决了基于回波信号的瞄准系统中对不同尺寸目标的光束瞄准问题，大大提高了光束瞄准误差估计精度。