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一种低压高精度带隙基准电压源

  • 申请号:CN201210102173.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN102622031A
  • 公开(公开)日:2012.08.01
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种低压高精度带隙基准电压源
申请号 CN201210102173.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102622031A 公开(授权)日 2012.08.01
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 程冰;刘建伟;罗家俊
主分类号 G05F1/567(2006.01)I IPC主分类号 G05F1/567(2006.01)I
专利有效期 一种低压高精度带隙基准电压源 至一种低压高精度带隙基准电压源 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及BJT以及CMOS晶体管电路技术领域,特别涉及一种低压高精度带隙基准电压源。所述电压源,包括第一电流产生电路、第二电流产生电路、第三电流产生电路和电流叠加电路;第一电流产生电路,用于产生一路与温度变化呈正比例关系的电流;第二电流产生电路,用于产生一路一阶温度系数为负,二阶温度系数为正的电流;第三电流产生电路,用于产生一路一阶温度系数为负,二阶温度系数为负的电流;电流叠加电路,用于将所产生的三路电流叠加,叠加后的电流通过电阻提供输出所需的基准电压。本发明改善了带隙基准电压源的精度,并使输出基准电压可根据实际需要进行调整,使整个带隙基准电压电路能够在较低的电源电压下正常工作。

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