专利详情

专利名称	基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法
申请号	CN201010601975.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102130026A	公开（授权）日	2011.07.20
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	毛旭;杨晋玲;杨富华
主分类号	H01L21/60(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法至基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法，通过选用富锡Sn合金成分Sn＝54％-71％，设计金锡厚度分别小于2.1μm和0.7μm，在一定压强、温度和时间内进行了金锡合金键合，形成了以具有高维氏硬度的AuSn2相(即ε相)为主的中间层，实现了低成本、高键合强度的圆片级低温封装方法。键合温度在140-310℃范围内，可实现高达20-64MPa的键合强度。这一低成本、高键合强度的圆片级低温封装方法可应用于任意基片上器件的封装。