专利详情

专利名称	一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法
申请号	CN201010619508.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102130013A	公开（授权）日	2011.07.20
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	程新红;何大伟;王中健;徐大伟;夏超;宋朝瑞;俞跃辉
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法至一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法，该方法首先对SOI衬底的顶层硅进行N型离子注入，使整个漂移区下方成为N型区域；然后对所述漂移区进行浅掺杂N型离子注入，在漂移区的表层形成浅掺杂N型缓冲层；之后通过版图对所形成的N型区域进行P型离子注入，在所述N型区域中形成等间隔的多个横向P型柱区，将所述N型区域划分为多个横向N型柱区，交替排列的P型柱区和N型柱区组成横向超结结构。本发明将缓冲层设于漂移区上方，可以抑制衬底辅助耗尽效应对SOI超结LDMOS漂移区电荷平衡的影响，提高了器件的击穿电压，并且通过巧妙地调整N/P离子注入的步骤，设计版图和离子注入浓度等，进一步简化了工艺，降低了生产成本。