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采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法

  • 申请号:CN201010607936.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN102130037A
  • 公开(公开)日:2011.07.20
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法
申请号 CN201010607936.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102130037A 公开(授权)日 2011.07.20
申请(专利权)人 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 魏星;王中党;叶斐;曹共柏;林成鲁;张苗;王曦
主分类号 H01L21/762(2006.01)I IPC主分类号 H01L21/762(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I
专利有效期 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 至采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法,包括如下步骤:提供器件衬底与支撑衬底;在器件衬底的表面形成绝缘层;热处理器件衬底,从而在所述器件衬底的表面形成洁净区域;将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合,使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间;对键合界面实施退火加固,使键合界面的牢固程度能够满足后续倒角研磨、减薄以及抛光工艺的要求;对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于,在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理,表面形成洁净区域,随后将该洁净区域转移到另一片支撑衬底之上,得到具有高晶体质量的键合材料。

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