专利详情

专利名称	低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列
申请号	CN201210080117.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102611002A	公开（授权）日	2012.07.25
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	杨晔;佟存柱;汪丽杰;王立军;曾玉刚;刘云
主分类号	H01S5/22(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/22(2006.01)I
专利有效期	低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列至低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，属于半导体激光器领域，为了降低纵向和横向发散角，以改善激光器的光束质量，获得高亮度激光输出，本发明设计了低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，该阵列纵向结构从下至上依次为：N型衬底、N型限制层、N型布拉格反射波导、有源区、P型布拉格反射波导、P型限制层、P型盖层，所述纵向结构中N型布拉格反射波导和P型布拉格反射波导分别至少由一对高、低折射率材料周期生长组成，该阵列横向结构包括电流注入区和其两侧的横向布拉格反射波导，所述两侧的横向布拉格反射波导分别至少由一对高、低脊形结构周期排列组成，所述低脊形部分紧挨电流注入区。本发明实现了高亮度激光输出。