专利详情

专利名称	一种非挥发性存储器件的编程方法
申请号	CN201110022638.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102610277A	公开（授权）日	2012.07.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	霍宗亮;姜丹丹;刘明;张满红;王琴;刘璟;李冬梅
主分类号	G11C16/10(2006.01)I	IPC主分类号	G11C16/10(2006.01)I
专利有效期	一种非挥发性存储器件的编程方法至一种非挥发性存储器件的编程方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种非挥发性存储器件的编程方法，属于非挥发性存储器技术领域。所述存储器件为堆栈栅非挥发性存储器件时，所述方法包括如下步骤：在编程时刻前，于非挥发性存储器件的漏极和/或源极，施加预定脉冲宽度和电压的负脉冲；于编程时刻，在栅极和漏极,或栅极和源极施加脉冲宽度相同的正向同步脉冲。本发明通过扩大热电子注入编程时电子注入区域的范围，增加注入电子的数量，从而提高电子的注入效率，使得存储窗口增大。同时，扩大的注入范围，可以有效降低电子窄范围注入时对隧穿介质层带来的损坏，提高非挥发性存储器的可靠性，延长电荷在存储层中的保持时间以及增加存储其编程/擦除的次数。