专利详情

专利名称	用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料
申请号	CN201110021620.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102610745A	公开（授权）日	2012.07.25
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	周夕淋;吴良才;宋志棠;饶峰;彭程;朱敏
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料至用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(SiaSbbTec)1-yMy，其中元素M是氮元素或氧元素或它们的混合物；在SiaSbbTec中，Si的含量a为10-25%原子百分比，Sb和Te的含量的原子百分比的比值为1.7≤(b/c)≤2.0；掺杂元素M的含量y是0-25%原子百分比。该材料在电学脉冲的作用下，可在非晶态（高阻态）和晶态（低阻态）之间进行可逆转变，从而实现信息存储。该材料与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有较高的结晶温度、较高的热稳定性和更高的晶态电阻率，使用该材料作为信息存储介质可以大大提高器件的数据保持能力，同时能保持较快的操作速度和降低的写操作功耗，提高器件的可靠性。