专利详情

专利名称	高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器
申请号	CN201210079120.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102611000A	公开（授权）日	2012.07.25
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	张建伟;宁永强;秦莉;刘云;曾玉刚;王立军
主分类号	H01S5/183(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/183(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I
专利有效期	高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器至高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器	法律状态	授权
说明书摘要	高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，为解决现有的垂直腔面发射半导体激光器光场在P型DBR一侧的高损耗、激光器的转换效率受到限制的问题，本发明提供高效率非对称光场分布的垂直腔面发射半导体激光器，该激光器由下至上依次为N面电极、N型衬底、N型缓冲层、N型分段DBR、有源区、氧化限制层、P型分段DBR、P型盖层和P面电极；所述N型分段DBR在靠近有源区的前6-8对N型DBR的高、低折射率材料对的折射率差小于后面的高、低折射率材料对的折射率差；P型分段DBR在靠近有源区的前6-8对P型DBR的高、低折射率材料对的折射率差大于后面的高、低折射率材料对的折射率差。本发明电光转换效率高具有广泛的应用前景。