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一种基于NMOS晶体管的90°移相器

  • 申请号:CN200910303640.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN101599751
  • 公开(公开)日:2009.12.09
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种基于NMOS晶体管的90°移相器
申请号 CN200910303640.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101599751 公开(授权)日 2009.12.09
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 雷牡敏;张海英
主分类号 H03H11/18(2006.01)I IPC主分类号 H03H11/18(2006.01)I
专利有效期 一种基于NMOS晶体管的90°移相器 至一种基于NMOS晶体管的90°移相器 法律状态 授权
说明书摘要 本发明涉及一种基于NMOS晶体管的90°移相器,属于射频微波集成电路设计技术领域。 所述90°移相器由输入端、被并行驱动的第一二阶全通滤波器和第二二阶全通滤波器、第一 输出端和第二输出端构成;所述第一二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管、电容 以及两个并联相连的电容和电阻;所述第二二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管 、电容以及两个并联相连的电容和电阻。本发明基于NMOS晶体管的90°移相器用低成本、低 功耗的CMOS工艺,小面积实现宽带90°移相,并具有以下两个优点,一是没有传输损耗,能 通过有源元件调整其增益;二是与标准CMOS工艺兼容,成本低,功耗低,集成度高且工作频 带宽。

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