专利详情

专利名称	一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法
申请号	CN201210076934.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102623345A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	程新红;王中健;徐大伟;夏超;曹铎;贾婷婷;宋朝瑞;俞跃辉
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法至一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多N岛P沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的P型漂移区，位于所述P型漂移区一侧的N型体区，以及位于所述P型漂移区另一侧上的P型漏区，其中，所述P型漂移区中形成有多个互相间隔且平行排列的岛状N区，且各该岛状N区由P型源区朝P型漏区方向线性变小，由于在高压下衬底辅助耗尽效应作用从源端到漏端依次增强，因此岛状N区相应地从源端到漏端方向上由大变小，以实现和衬底辅助耗尽效应作用互补抵消，最终达到电荷平衡的目的。