专利详情

专利名称	一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法
申请号	CN200910303914.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101598645	公开（授权）日	2009.12.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵珉;陈宝钦;刘明;牛洁斌
主分类号	G01N1/28(2006.01)I	IPC主分类号	G01N1/28(2006.01)I;G01N1/32(2006.01)I;G01N23/225(2006.01)I
专利有效期	一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法至一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法，属于纳米图案加工技术领域。所述方法包括：将硅衬底表面进行处理，并在硅衬底上涂覆电子束光刻抗蚀剂；将涂覆有电子束光刻抗蚀剂的硅衬底进行烘烤；对烘烤后的硅衬底进行单线曝光模式下的电子束直写曝光；对电子束直写曝光后的硅衬底进行显影、定影、干燥及退火处理，并在处理后的硅衬底表面覆盖金属薄膜，形成扫描电镜放大倍率校准标准样品。本发明避免了等离子体刻蚀工艺带来的图形质量下降，有利于高分辨率密集线图形结构的制作，有利于电子束曝光极限分辨率的实现。