专利详情

专利名称	共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法
申请号	CN200910054214.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101597798	公开（授权）日	2009.12.09
申请（专利权）人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	潘尚可;杨帆;任国浩;丁栋舟;陆晟;张卫东
主分类号	C30B29/22(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/22(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I
专利有效期	共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法至共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于闪烁晶体材料领域，具体涉及一种共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法，该共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体的化学式为：Li₆Ce_xN_yGd_1-x-yB₃O_9-δ/2M_δ，其中，M选自以下元素中的一种或两种：F、Cl、Br和I；N选自以下元素中的一种或两种：Sc、Y、 La和Lu；所述Li元素、Gd元素和B元素中的至少一种以特殊同位素的形式存在；其中0 ＜x≤0.2，0≤y＜1，0≤δ≤0.1，且y和δ不同时为0，其制备方法为：原料经过混合、固相合成、化料，在单晶生长炉中通过提拉法生长制备成单晶形态。本发明共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体以Ce³⁺离子为发光中心，锂、钆和硼元素是以锂-6、钆-155、钆-157或硼-10 同位素的一种或其组合的形式存在，起到与被探测中子产生核反应的作用。