专利详情

专利名称	集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法
申请号	CN200910053998.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101593765	公开（授权）日	2009.12.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;顾怡峰;刘波;张复雄;向阳辉;封松林;陈邦明
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法至集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发挥各种性能不同存储模块的优势：对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储，对于长时间保存的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储，对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特性的模块进行存储。