氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法
- 申请号：CN201110177081.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN102244159A
- 公开(公开)日：2011.11.16
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 | ||
| 申请号 | CN201110177081.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102244159A | 公开（授权）日 | 2011.11.16 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑怀文;张逸韵;吴奎;杨华;李璟 |
| 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I |
| 专利有效期 | 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 至氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种利用自组装薄膜作为掩膜刻蚀导电薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一蓝宝石衬底，在该蓝宝石衬底上生长氮化物外延层；步骤2：在氮化物外延层上生长导电薄膜；步骤3：在导电薄膜上采用自组装的方法生长一层光子晶体薄膜，形成掩膜；步骤4：进行退火处理；步骤5：采用刻蚀的方法对掩膜下的导电薄膜进行刻蚀，形成粗化的导电薄膜表面；步骤6：清洗去掉剩余的光子晶体薄膜，完成制备。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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