专利详情

专利名称	一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法
申请号	CN201010175815.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102244031A	公开（授权）日	2011.11.16
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	钟汇才;梁擎擎
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I
专利有效期	一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法至一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种接触孔的形成方法，包括：在衬底上形成栅极、侧墙、牺牲侧墙、源区和漏区，所述侧墙环绕所述栅极，所述牺牲侧墙覆盖所述侧墙，所述源区和漏区嵌于所述衬底内并位于所述栅极的两侧；形成层间介质层，并使所述层间介质层暴露所述栅极、侧墙和牺牲侧墙；去除所述牺牲侧墙，以形成接触空间，所述牺牲侧墙材料与所述栅极、侧墙和层间介质层的材料不同；形成导电层，所述导电层填充所述接触空间；断开所述导电层，以形成至少两个导电体，各所述导电体分别接于所述源区或漏区。一种接触孔，所述接触孔和栅极、侧墙均形成于衬底上并嵌入层间介质层中，所述接触孔的侧面接于所述侧墙。还提供了一种半导体器件及其形成方法。均可减少应用的掩模的数目。