专利详情

专利名称	GSMBE制备Ⅲ-Ⅴ化合物半导体纳米管结构材料的方法
申请号	CN200910054392.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101591811	公开（授权）日	2009.12.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	艾立鹍;徐安怀;孙浩;齐鸣;朱福英
主分类号	C30B29/40(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I
专利有效期	GSMBE制备Ⅲ-Ⅴ化合物半导体纳米管结构材料的方法至GSMBE制备Ⅲ-Ⅴ化合物半导体纳米管结构材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种GSMBE制备III-V化合物半导体纳米管结构材料的方法，包括：在 GSMBE系统中，对衬底进行预处理；将砷烷裂解得到As₂用作As源，调节气源炉AsH₃ 压力P_V为450～700Torr，并控制各分子束流强度；然后将衬底传递至GSMBE的生长室进行外延生长；通过半导体刻蚀工艺制作图形，经腐蚀后制作成III-V族化合物半导体纳米管结构材料。该III-V族化合物半导体材料体系选择余地大，来源方便，并且可以对纳米管内外壁材料进行掺杂；制备方法操作简单，成本低，适合大规模生产。