专利详情

专利名称	一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器
申请号	CN200810112207.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101588017	公开（授权）日	2009.11.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	郑婉华;刘安金;王科;渠宏伟;邢名欣;陈微;周文君
主分类号	H01S5/183(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/183(2006.01)I
专利有效期	一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器至一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源层、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成。其中，该光子晶体垂直腔面发射激光器的上DBR表面的光子晶体区为高损耗区和耦合区，环形区和缺陷区为光输出区域；该光子晶体垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，既提高了单模输出功率，又抑制了发散角。