专利详情

专利名称	一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法
申请号	CN200910053593.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101585507	公开（授权）日	2009.11.25
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李刚;陈强;李俊君;赵建龙
主分类号	B81C5/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C5/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法至一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种PDMS微流控芯片中通孔结构的制作方法，其特征在于利用磁性力的辅助，将微柱或微管固定于芯片模具上拟制作通孔结构的位置，然后通过整体浇注PDMS预聚物，并固化键合，制作出具有高深宽比通孔结构的PDMS微流控芯片。本发明提供的微流控芯片成形与通孔制作一次完成，简化了微流控芯片制作工艺，而且通过微柱或微管与芯片模具固定，实施整体浇注，提高了通孔制作的精确度，保证了通孔形状的规整性，避免了形成通孔孔形不规则、损坏微管道结构等问题。另外，微磁柱排布利用预制模具镶嵌固定，还可以提高通孔制作密度，实现批量化加工制作。