专利详情

专利名称	掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法
申请号	CN200910053119.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101582485	公开（授权）日	2009.11.18
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘波;宋志棠;张挺;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法至掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法。该掺杂改性的相变材料的组成表达式为(Sb₂Se₃)_100-xY_x，其中x是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤20，Y代表掺杂的元素，包括Ni、Cr、Bi、As、Ga、 In、Ge、Si、Sn、Ag、Al、C、N或O中任一种。该掺杂改性的(Sb₂Se₃)_100-xY_x存储材料不仅保留了Sb₂Se₃存储材料的相变速度快、熔点低等优点，而且结晶温度得到提高，从而克服了Sb₂Se₃存储材料数据保持力差的缺点。包含该(Sb₂Se₃)_100-xY_x 存储材料的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。