专利详情

专利名称	金属铌剩余电阻率测量装置和测量方法
申请号	CN200910084296.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101581743	公开（授权）日	2009.11.18
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	朱志芹
主分类号	G01R27/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01R27/02(2006.01)I
专利有效期	金属铌剩余电阻率测量装置和测量方法至金属铌剩余电阻率测量装置和测量方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种测量金属铌剩余电阻率的装置，包括样品测试杆(4)、低温杜瓦(3)、直流电流源(6)、通道转换器(5)、电压放大器(7)、电压测量仪表(8)、电流测量仪表(9)、电脑采集处理系统(10)。金属铌样品(1)装在样品架(11)上，温度传感器(2)粘在样品测试杆(4)下端，连接在金属铌样品(1)上的电压引线和电流引线从样品测试杆(4)的上端空心杆(12)内引出，与电压测量仪表(8)、电流测量仪表(9)相接。测量时，将装有金属铌样品(1)的样品测试杆(4)慢慢插入低温杜瓦(3)中。测量金属铌在进入超导状态前9.3K时的瞬间的电压值，计算金属铌9.3K时的电阻率值，再换算出金属铌的剩余电阻率。