一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
- 申请号：CN200810106313.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN101580964
- 公开(公开)日：2009.11.18
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托 | ||
| 申请号 | CN200810106313.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101580964 | 公开（授权）日 | 2009.11.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈小龙;彭同华;杨慧;王文军;倪代秦;王皖燕 |
| 主分类号 | C30B23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托 至一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托， 该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高 温下稳定而且致密，消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密 性，抑制了晶体背面蒸发所产生的蒸气从石墨基底孔隙中逸出，消除了晶体生 长过程中由背面蒸发导致的平面六角缺陷，极大地提高了碳化硅晶体质量及产 率。 | ||
交易流程
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