专利详情

专利名称	MOSFET及其制造方法
申请号	CN201110170875.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102842603A	公开（授权）日	2012.12.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;许淼;梁擎擎
主分类号	H01L29/36(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/36(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	MOSFET及其制造方法至MOSFET及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，其中所述MOSFET包括：SOI晶片，所述SOI晶片包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层；栅叠层，所述栅叠层位于半导体层上；源区和漏区，所述源区和漏区位于所述半导体层中且位于所述栅堆叠两侧；沟道区，位于所述半导体层中且夹在所述源区和漏区之间；其中，所述MOSFET还包括位于所述半导体衬底中的背栅，并且其中，所述背栅包括第一至第三补偿注入区，第一补偿注入区位于源区和漏区下方；第二补偿注入区沿着远离沟道区的方向延伸并且与第一补偿注入区邻接；第三补偿注入区位于沟道区的下方并且与第一补偿注入区邻接。该MOSFET可以通过改变背栅中的掺杂类型而实现对阈值电压的调节，并且还可以减小与背栅相关的寄生电容和接触电阻。