用于测量红光超短脉冲半极大全宽度的自相关测量仪
- 申请号:CN200810106277.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号:CN101576414
- 公开(公开)日:2009.11.11
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 用于测量红光超短脉冲半极大全宽度的自相关测量仪 | ||
申请号 | CN200810106277.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101576414 | 公开(授权)日 | 2009.11.11 |
申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明(设计)人 | 刘运涛 |
主分类号 | G01J11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J11/00(2006.01)I |
专利有效期 | 用于测量红光超短脉冲半极大全宽度的自相关测量仪 至用于测量红光超短脉冲半极大全宽度的自相关测量仪 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种用于测量红光超短脉冲半极大全宽度的自相关 测量仪,包括温度控制器、光源、准直与会聚单元、分光与延迟单元、 非线性效应单元和信号探测单元;其中,温度控制器用于控制作为光 源的激光器的温度,解决激光器激射波长易漂移的问题,并可整体调 整,实现光路调节;激光器作为光源,其出射光依次经过准直与会聚 单元中的自聚焦透镜、分光与延迟单元、准直与会聚单元中的平凸透 镜,以及非线性效应单元,进入信号探测单元,实现对激光器出射光 的测量。本发明将激光器温度稳定在0.2°以内,并通过改变温度调节 半导体激光器的输出波长,扩大可测试的波长范围,提高测试灵敏度, 从而满足对红光半导体激光器产生超短脉冲进行测试的需要。 |
交易流程
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专利 -
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