专利详情

专利名称	相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法
申请号	CN200910053040.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101572292	公开（授权）日	2009.11.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	吴良才;宋志棠
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法至相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出一种相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法，即由相变材料和具有阻变特性的金属氧化物(简称阻变材料)组成叠层存储单元结构实现多态存储。相变材料在电脉冲作用下可以发生非晶(高阻)、多晶(低阻)可逆转变，阻变材料在电脉冲作用下也可以发生高阻态、低阻态的可逆变化。二者结合可以产生三个及三个以上的阻态，从而实现多态存储。器件单元结构由上电极、存储介质(由相变材料和阻变材料形成的两层及两层以上叠层结构)、导电塞、底电极、衬底等组成。本发明的目的是提出一种实现多态存储的方法及器件结构和相应的制作方法，利用相变材料的相变和阻变材料的阻变来达到多态存储。