专利详情

专利名称	一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法
申请号	CN200910053039.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101572291	公开（授权）日	2009.11.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	吴良才;宋志棠
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法至一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法。其特征在于所述的存储器单元结构由顶电极、多级存储介质(由相变材料和具有阻变特性的金属氧化物塞，如WO_x塞形成的堆栈结构)、阻变氧化物塞、底电极、衬底、绝缘介质等组成。其中，相变材料是可以发生可逆相变的化合物材料，如Ge-Sb-Te等，WO_x塞是通过钨塞的氧化形成，在电场作用下(电脉冲)可以发生阻值变化，通过Ge-Sb-Te和WO_x塞的多级阻值变化实现多级存储，从而提高单个存储单元的容量。