专利详情

专利名称	柱状纳米加热电极的制备方法
申请号	CN200910052406.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101572290	公开（授权）日	2009.11.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	冯高明;宋志棠;刘波;封松林;万旭东;吴关平
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I
专利有效期	柱状纳米加热电极的制备方法至柱状纳米加热电极的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种柱状纳米加热电极的制备方法，首先在衬底上沉积一层厚度为100nm～300nm的TiN薄膜，利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在TiN薄膜上形成直径为200nm～300nm的光刻胶图形，接着利用反应离子刻蚀技术中O₂ 气体修整光刻胶的形貌，将光刻胶图形尺寸缩小到直径为40nm～100nm左右，利用等离子刻蚀的技术刻蚀TiN薄膜，最后清洗光刻胶得到40nm～100nm的柱状纳米加热电极。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。本发明不仅适用于制备相变存储器的小尺寸纳米加热电极，同样适用于制备其他电子器件特别是纳电子器件所需的纳米电极，具有很大的应用价值。