专利详情

专利名称	相变存储器加热电极的制备方法
申请号	CN200910052407.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101567420	公开（授权）日	2009.10.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	冯高明;宋志棠;刘波;封松林;万旭东;吴关平
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	相变存储器加热电极的制备方法至相变存储器加热电极的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种相变存储器加热电极的制备方法，首先利用CVD技术在衬底上依次沉积SiO₂/S₃N₄/SiO₂介质层，接着使用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在顶层SiO₂上制备出直径为150～300nm的孔洞。之后，沉积S₃N₄ 100～200nm并刻蚀，连同一开始沉积的S₃N₄刻穿，在孔洞中形成出50～150nm厚的S₃N₄侧墙。最后，将S₃N₄侧墙作为硬掩膜把底层SiO₂刻蚀完，利用CVD技术填入W、TiN等电极材料，并进行化学机械抛光停在底层SiO₂上，形成直径100nm以下的柱状加热电极。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。