专利详情

专利名称	表面织构化n型ZnO基透明导电薄膜及其制备方法
申请号	CN200910051996.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101567395	公开（授权）日	2009.10.28
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	万冬云;黄富强
主分类号	H01L31/0224(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I
专利有效期	表面织构化n型ZnO基透明导电薄膜及其制备方法至表面织构化n型ZnO基透明导电薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及表面织构化n型ZnO基透明导电薄膜及其制备方法。本发明在n 型ZnO基透明导电薄膜的膜面形成大量排列规则、结构均匀、连通良好且具有一定深度的微孔结构。这种表面织构化的薄膜具备良好的光捕获性能，且同时具有高的电导率。这种利用直流磁控连续溅射制备的表面织构化高性能n型ZnO 基透明导电薄膜，其工艺简单，质量易于监控，适于大规模生产；可保持本体膜良好的柱状晶结构，孔与孔之间连通完好，保持了ZnO基膜的高电导率；织构表面上的微孔，无论是均匀性还是重复性都是传统使用的上述两种方法无法比拟的，且孔的深度和直径在一定范围内可控；膜层在可见光区平均透过率达到 90％以上，迁移率最高达35.4cm²/V·S，电阻率达到1.003×10^-4Ω·cm，方块电阻达到0.9Ω/□。