专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201110183555.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102856207A	公开（授权）日	2013.01.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的所述SOI衬底的SOI层和BOX层，以形成暴露所述BOX层的沟槽，该沟槽部分进入所述BOX层；在所述沟槽的侧壁形成金属侧墙，该金属侧墙与所述栅极结构下方的所述SOI层相接触；形成填充部分所述沟槽的绝缘层，并形成覆盖所述栅极结构和所述绝缘层的介质层；刻蚀该介质层以形成至少暴露部分所述绝缘层的第一接触孔，通过该第一接触孔刻蚀所述绝缘层，以形成至少暴露部分所述金属侧墙的第二接触孔；填充所述第一接触孔和所述第二接触孔以形成接触塞，该接触塞与所述金属侧墙相接触。本发明提供的方法能提升半导体器件的性能和减小加工难度。