专利详情

专利名称	MOSFET及其制造方法
申请号	CN201110178387.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102856201A	公开（授权）日	2013.01.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期	MOSFET及其制造方法至MOSFET及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请提供了一种MOSFET及其制造方法，该MOSFET包括：半导体衬底；半导体衬底上的第一绝缘埋层；在第一绝缘埋层上的第一半导体层中形成的背栅；第一半导体层上的第二绝缘埋层；在第二绝缘埋层上的第二半导体层中形成的源/漏区；第二半导体层上的栅极；以及源/漏区、栅极和背栅的电连接，其中，背栅仅位于源/漏区中的一个及沟道区下方，而没有位于源/漏区中的另一个下方，所述电连接包括背栅和源/漏区中的所述一个的公共的导电通道。该MOSFET利用非对称的背栅改善了抑制短沟道效应的效果，并且利用公共的导电通道减小了芯片占用面积。