专利详情

专利名称	双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件的封装结构
申请号	CN201210367566.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102856372A	公开（授权）日	2013.01.02
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	于国浩;蔡勇;张宝顺
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期	双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件的封装结构至双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件的封装结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件的封装结构，包括基座以及，安装在基座上的HEMT器件，该器件包括异质结构以及通过异质结构中的二维电子气形成电连接的源、漏极，该异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体，形成于第一半导体表面的第二半导体，设于第二半导体表面的主栅，形成于第二半导体和主栅表面的介质层，设于介质层表面的顶栅；以及，用于使主、顶栅实现同步信号控制的分压补偿电路等，该分压补偿电路主要由电阻和电容等分立器件组成。藉由所述分压补偿电路，可以调控顶栅和主栅所加电压的幅值和相位关系。本发明可以对增强型HEMT器件中的“电流崩塌效应”进行有效控制，并可以将双栅电极四端器件等同于三端器件应用于电路中。