专利详情

专利名称	一种用于碳化硅的欧姆电极结构及其制造方法
申请号	CN200810104843.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101567383	公开（授权）日	2009.10.28
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	陈小龙;杨慧;彭同华;王文军;王皖燕
主分类号	H01L29/45(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/45(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种用于碳化硅的欧姆电极结构及其制造方法至一种用于碳化硅的欧姆电极结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种用于碳化硅的欧姆电极结构，包括在衬底碳化硅(1)上依次形成的第一层钽(Ta)膜(2)、第二层铂(Pt)膜(3)和第三层钽(Ta) 膜(4)的欧姆电极，其中，第一层钽膜(2)的厚度为20-40nm，第二层铂膜(3) 的厚度为20-60nm，第三层钽膜(4)的厚度为10-30nm。本发明还提供了一种用于碳化硅的欧姆电极结构的制造方法。本发明的欧姆电极结构在900-1200℃ 之间退火后可获得理想一致、接触电阻低的欧姆接触，减少了形成欧姆接触的退火过程中带来的接触层中多余的碳原子对电学性能的损害，并提供了改善的表面形貌，提高了电极稳定性。