专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201110173892.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102842618A	公开（授权）日	2012.12.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：SOI衬底和位于所述SOI衬底上的MOSFET；所述SOI衬底自上而下包括SOI层、第一绝缘埋层、半导体埋层、第二绝缘埋层以及半导体衬底，所述半导体埋层中包含背栅区，所述背栅区为所述半导体埋层掺杂了第一极性的杂质后形成的区域；所述MOSFET包括栅堆叠和源/漏区，所述栅堆叠位于所述SOI层上，所述源/漏区位于所述SOI层中且位于所述栅堆叠的两侧；其中，所述背栅区中包括反掺杂区，所述反掺杂区位于所述栅堆叠下方，且包含第二极性的杂质，所述第一极性与第二极性相反。本发明的实施例适用于MOSFET的阈值调节。