专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201110165241.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102842614A	公开（授权）日	2012.12.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王桂磊;李春龙;赵超;李俊峰
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底上形成有绝缘隔离层；在所述绝缘隔离层中形成有绝缘隔离层沟槽；在所述绝缘隔离层沟槽中形成有有源区层；在所述有源区层中和其上形成半导体器件结构；其特征在于，所述有源区层的载流子迁移率高于所述衬底的载流子迁移率。依照本发明的半导体器件及其制造方法，使用了不同于衬底材料的有源区，提高了沟道区载流子迁移率，从而大幅提高了器件的响应速度，增强了器件的性能。此外，不同于已有的STI制造工序，本发明先形成STI后填充形成有源区，避免了STI中出现孔洞的问题，提高了器件的可靠性。